Модуль памяти SO-DIMM DDR3 8 Gb PC12800 Qumo [QUM3S-8G1600C11L] 1.35V
Код товара: 699806
Оперативная память SODIMM Qumo QUM3S-8G1600C11L 8 ГБ предназначена для использования в мобильных системах с небольшими габаритами. Модуль относится к стандарту DDR3L, имеет рабочую частоту 1600 ГГц. В комплекте поставляется одна плашка для установки в соответствующий слот на материнской плате. Объем составляет 8 ГБ, этого будет достаточно для большинства пользователей.
Qumo QUM3S-8G1600C11L 8 ГБ работает от напряжения 1.35 В. Тайминги CAS Latency – 11. Модуль имеет привычные габариты для данного стандарта, установка в слот не вызовет затруднений. В конструкции 204 контакта для соединения с материнской платой.
Пропускная способность модуля высокая – 12800 МБайт/с. За счет этого обеспечивается оптимальная скорость работы системы, все команды выполняются в максимально короткое время.
|
Тип
|
оперативная память
|
|
Модель
|
QUMO
|
|
Код производителя
|
[QUM3S-8G1600C11L]
|
|
Год релиза
|
2016
|
| Объем и состав комплекта | |
|
Тип памяти
|
DDR3L
|
|
Суммарный объем памяти всего комплекта
|
8 ГБ
|
|
Объем одного модуля памяти
|
8 ГБ
|
|
Количество модулей в комплекте
|
1 шт
|
| Быстродействие | |
|
Частота
|
1600 МГц
|
|
Пропускная способность
|
PC12800
|
| Тайминги | |
|
CAS Latency (CL)
|
11
|
|
RAS to CAS Delay (tRCD)
|
11
|
|
Row Precharge Delay (tRP)
|
11
|
|
Activate to Precharge Delay (tRAS)
|
30
|
| Конструктивные особенности | |
|
Количество чипов модуля
|
16
|
|
Двухсторонняя установка чипов
|
есть
|
| Дополнительно | |
|
Напряжение питания
|
1.35 В
|
